為深入貫徹黨的二十大“加快實施創(chuàng)新驅(qū)動發(fā)展戰(zhàn)略，要加強(qiáng)企業(yè)主導(dǎo)的產(chǎn)學(xué)研深度融合，強(qiáng)化目標(biāo)導(dǎo)向，提高科技成果轉(zhuǎn)化和產(chǎn)業(yè)化水平”精神，全面落實成都市委“科技成果轉(zhuǎn)化要有力有效”決策部署，將成都高新區(qū)打造具有全國影響力的創(chuàng)新成果中試首選地、創(chuàng)新驅(qū)動引領(lǐng)高質(zhì)量發(fā)展示范區(qū)，成都高新區(qū)科技創(chuàng)新局深入走訪、全面摸排區(qū)內(nèi)具備中試功能的公共技術(shù)平臺和先進(jìn)制造企業(yè)，宣傳“中試十條”政策，特別是引導(dǎo)鼓勵企業(yè)平臺對外提供中試服務(wù)，并以“樣品生產(chǎn)”和“對外服務(wù)”為金標(biāo)準(zhǔn)，經(jīng)過企業(yè)申報和專家評審，認(rèn)定了電子信息、生物醫(yī)藥兩個方向的首批21家中試平臺。
IGBT集成電路中試平臺
中試平臺及建設(shè)主體：IGBT集成電路中試平臺，由成都森未科技有限公司建設(shè)。
森未科技成立于2017年7月，先后被認(rèn)定為成都市高新區(qū)雛鷹企業(yè)、成都市集成電路設(shè)計企業(yè)、四川省“專精特新“企業(yè)、國家高新技術(shù)企業(yè)，專注于先進(jìn)IGBT芯片的國產(chǎn)化。
森未科技核心技術(shù)團(tuán)隊由清華大學(xué)和中國科學(xué)院的博士組成，長期專注于功率半導(dǎo)體器件研發(fā)，深耕IGBT芯片技術(shù)和產(chǎn)業(yè)化近10年，累計取得相關(guān)技術(shù)專利40多項，成功開發(fā)不同電壓等級和應(yīng)用場景的芯片超過100款，是國內(nèi)產(chǎn)品線覆蓋最廣的IGBT功率半導(dǎo)體公司之一。森未科技的芯片產(chǎn)品全面采用溝槽柵+場截止技術(shù)，并已應(yīng)用于工業(yè)變頻、特種電源、感應(yīng)加熱、新能源發(fā)電以及新能源車等多個市場領(lǐng)域。
平臺中試服務(wù)內(nèi)容：平臺擁有設(shè)備33套（臺），開展IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）晶圓、單管、模塊的全系列光學(xué)、電學(xué)、可靠性等測試，覆蓋器件失效分析和逆向分析的整套流程，提供IGBT的設(shè)計、封裝、測試、應(yīng)用等服務(wù)。
平臺提供夾具定制化生產(chǎn)、集成組建設(shè)計與生產(chǎn)，平臺先后自主開發(fā)生產(chǎn)了通用型老化測試平臺（包括功率循環(huán)測試平臺和高溫反偏平臺等）、80KW逆變并網(wǎng)及無功測試平臺、變頻器對拖測試平臺、新能源發(fā)電類應(yīng)用測試平臺等一系列針對不同用戶和應(yīng)用場景的測試平臺與集成組建，為終端客戶提供各類可靠性驗證、定制化設(shè)計研發(fā)服務(wù)。
平臺實力：面積超過1000㎡；引進(jìn)了芯片全自動制樣設(shè)備、高倍光學(xué)顯微鏡、掃描電子顯微鏡、晶圓探針臺、功率器件曲線追蹤儀設(shè)備等，平臺團(tuán)隊開發(fā)了多種硬件平臺。（選送單位：高新區(qū)科技創(chuàng)新局）
